• bbb

Fabrikkprodusert demper for høyeffekts tyristor - Høyklasses IGBT-demperkondensatordesign for høyeffektsapplikasjoner – CRE

Kort beskrivelse:


Produktdetaljer

Produktetiketter

Relatert video

Tilbakemelding (2)

Kvalitet kommer først; service er viktigst; forretninger er samarbeid» er vår forretningsfilosofi som kontinuerlig overholdes og forfølges av vårt selskap.Elektronisk kondensator for AC-filter, DC-filmkondensatorer , AC-filter for EPS-applikasjonVi håper inderlig å etablere noen tilfredsstillende forhold til deg i nær fremtid. Vi vil holde deg informert om fremgangen vår og ser frem til å bygge stabile forretningsforbindelser med deg.
Fabrikkprodusert demper for høyeffekts tyristor - Høyklasses IGBT-demperkondensatordesign for høyeffektsapplikasjoner – CRE-detaljer:

Tekniske data

Driftstemperaturområde Maks. driftstemperatur, topp, maks: +105 ℃

Temperatur i øvre kategori: +85 ℃

Temperatur i lavere kategori: -40 ℃

kapasitansområde 0,1 μF ~5,6 μF
Nominell spenning 700V DC~3000V DC
Kapitteltol ±5 % (J); ±10 % (K)
Tåler spenning 1,5Un DC/10S
Dissipasjonsfaktor tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10 kHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10 kHz

Isolasjonsmotstand

C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (ved 20 ℃ 100 V DC 60 S)

C > 0,33 μF RS * C ≥ 5000S (ved 20 ℃ 100V DC 60S)

Tåle slagstrøm

se datablad

Flammehemming

UL94V-0

Forventet levealder

100 000h(Un; Θhotspot≤85°C)

Referansestandard

IEC61071; GB/T17702;

Spesifikasjonstabell

Spenning Un 700V DC, Urms 400VAC; Us 1050V
Dimensjon (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326,4 10
1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
1,5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
2,5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42,5 33 45 5,5 22 380 1140 20
3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
3,5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
3,5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57,5 38 54 3,5 33 230 1380 28
6,8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57,5 42,5 56 2,8 30 200 1600 33
Spenning Un 1000V DC, Urms 500VAC; Us 1500V
Dimensjon (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
1,5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
2,5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57,5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57,5 35 50 3,5 28 550 1815 25
3,5 57,5 38 54 3,5 28 500 1750 25
4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57,5 42,5 56 2,8 24 400 2240 32
Spenning Un 1200V DC, Urms 550VAC; Us 1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
1,5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
2,5 57,5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57,5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 28
3,5 57,5 38 54 3,5 25 500 1750 28
4 57,5 42,5 56 3,5 25 450 1800 30
4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 32
Spenning Un 1700V DC, Urms 575VAC; Us 2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
1,5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 18
1,5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
2,5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57,5 38 54 3,8 26 600 1980 28
3,5 57,5 42,5 56 3,5 25 500 1750 30
4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 32
Spenning Un 2000V DC, Urms 700VAC; Us 3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
1,5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 32
Spenning Un 3000V DC, Urms 750VAC; Us 4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57,5 35 50 15 25 2000 330 20
0,33 57,5 35 50 12 24 1800 495 20
0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28

Produktdetaljerbilder:

Fabrikkprodusert demper for høyeffekts tyristor - Høyklasses IGBT-demperkondensatordesign for høyeffektsapplikasjoner – CRE-detaljer

Fabrikkprodusert demper for høyeffekts tyristor - Høyklasses IGBT-demperkondensatordesign for høyeffektsapplikasjoner – CRE-detaljer

Fabrikkprodusert demper for høyeffekts tyristor - Høyklasses IGBT-demperkondensatordesign for høyeffektsapplikasjoner – CRE-detaljer

Fabrikkprodusert demper for høyeffekts tyristor - Høyklasses IGBT-demperkondensatordesign for høyeffektsapplikasjoner – CRE-detaljer


Relatert produktguide:

I løpet av de siste årene har selskapet vårt absorbert og fordøyd avansert teknologi både hjemme og i utlandet. Samtidig har selskapet et team av eksperter som er dedikert til utvikling av fabrikkproduserte, varmsalgs Snubber for høyeffekts tyristor - Høyklasses IGBT-snubberkondensatordesign for høyeffektsapplikasjoner – CRE. Produktet vil bli levert til hele verden, som: Irak, Monaco, Serbia. For å beholde den ledende posisjonen i vår bransje, slutter vi aldri å utfordre begrensningene i alle aspekter for å skape de ideelle produktene. På denne måten kan vi berike vår livsstil og fremme et bedre levekår for det globale samfunnet.
  • Selskapet kan tenke hva vi mener, hvor viktig det er å handle i vår posisjons interesse, og vi kan si at dette er et ansvarlig selskap, vi har hatt et godt samarbeid! 5 stjerner Av Elsa fra Tunisia - 2018.06.03 10:17
    Vi er langsiktige partnere, det er ingen skuffelse hver gang, og vi håper å opprettholde dette vennskapet senere! 5 stjerner Av Margaret fra Houston - 2018.02.21 12:14

    Send meldingen din til oss:

    Skriv meldingen din her og send den til oss

    Send meldingen din til oss: