Høystrøms filmkondensatorsnubber for sveisemaskin (SMJ-TC)

Kort beskrivelse:

Kondensatormodell: SMJ-TC

Egenskaper:

1. Kobbermutterelektroder

2. Liten fysisk størrelse og enkel installasjon

3. Mylar tape viklingsteknologi

4. Tørr harpiksfylling

5. Lav ekvivalent serieinduktans (ESL) og ekvivalent seriemotstand (ESR)

Applikasjoner:

1. GTO Snubber

2. Toppspenning og toppstrømabsorpsjon og beskyttelse for svitsjekomponent i elektronisk utstyr

Snubberkretser er avgjørende for dioder som brukes i byttekretser.Det kan redde en diode fra overspenningstopper, som kan oppstå under den omvendte gjenopprettingsprosessen.

Send e-post til oss Last ned som PDF

Produkt detalj

Produktetiketter

Tekniske data

Driftstemperaturområde	Maks. Driftstemperatur.,Topp,maks: + 85 ℃ Temperatur i øvre kategori: +85 ℃ Temperatur i nedre kategori: -40 ℃
kapasitansområde	0,22–3 μF
Merkespenning	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5 %(J) ;±10 %(K)
Tåler spenning	1.35Un DC/10S
Dissipasjonsfaktor	tgδ≤0,001 f=1KHz
Isolasjonsmotstand	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (ved 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (ved 20℃ 100V.DC 60S)
Tåler slagstrøm	se datablad
Forventet levealder	100 000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Referansestandard	IEC 61071 ;

Trekk

1. Mylar tape, forseglet med harpiks;

2. Kobbermutterledninger;

3. Motstand mot høy spenning, lav tgδ, lav temperaturøkning;

4. lav ESL og ESR;

5. Høy pulsstrøm.

applikasjon

1. GTO Snubber.

2. Mye brukt i kraft elektronisk utstyr når toppspenning, toppstrøm absorpsjon beskyttelse.

Typisk krets

Konturtegning

Spesifikasjon

Un=3000V.DC
Kapasitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapasitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

U=7000V.DC
Kapasitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

U=8000V.DC
Kapasitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapasitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70